Name: Vishay Siliconix SI7462DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7462DP-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI7462DP-T1-E3

Artikelnummer:

SI7462DP-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

Datenblätte:

1.SI7462DP-T1-E3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf SI7462DP.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI7462DP-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI7462DP-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® SO-8
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 4.1A, 10V
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® SO-8
Paket	Cut Tape (CT)
Befestigungsart	Surface Mount

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.6A (Ta)
Grundproduktnummer	SI7462
SI7462DP-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI7462DP-T1-E3 PDF - EN.pdf

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